Hersteller Produktnummer:
IPD12N03LB G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD12N03LB G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
13064070
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IPD12N03LB G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD12N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD12N03LBG
IPD12N03LBGXT
SP000016413
IPD12N03LB G-ND
IPD12N03LBGINCT
IPD12N03LBGINDKR
IPD12N03LBGINTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN3016LK3-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
11562
TEILNUMMER
DMN3016LK3-13-DG
Einheitspreis
0.15
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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